パワーデバイス用半導体としてのβ-Ga₂O₃の魅力について紹介します。
パワーデバイス用の新しい半導体材料であるβ-Ga₂O₃は、SiCやGaNよりもバンドギャップエネルギーが大きいため、省エネルギー性と高耐圧性の両方を兼備えた高性能なパワーデバイスの実現が期待されています。
更に、バルク単結晶を引上げ法により育成することが出来る為、SiCやGaNに比べて大口径基板を低価格帯で提供することが出来ます。
Негізгі бет Ғылым және технология パワーデバイス用半導体としての β-Ga₂O₃の魅力について
Пікірлер: 3